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450C全自动磁控溅射镀膜系统

文章来源:pengchengzk 更新时间:2016-06-12

450C全自动磁控溅射镀膜系统

设备用途:
用于纳米级单层及多层功能膜、硬质膜、金属膜、半导体膜、介质膜等新型薄膜材料的制备。可广泛应用于大专院校、科研院所的薄膜材料的科研与小批量制备。能实现在玻璃、陶瓷和硅片基底上的Cu、Al、NI、聚四氟乙烯(PTFE)薄膜的制备,能实现Al/Ni、Al/聚四氟乙烯多层膜的镀膜工艺自动化制备; 采用三靶直溅射镀膜方式镀膜,采用高性能进口磁控溅射靶和配有最先进的进口电源,保证了膜的质量;配有阳极层离子源进行清洗和辅助沉积,同时设备具有反溅射清洗功能,以提高膜的质量和牢固度。
设备组成
系统主要由溅射真空室、永磁磁控溅射靶(三个靶)、单基片加热台、直流电源、射频电源、工作气路、抽气系统、真空测量、电控系统及安装机台等部分组成。
技术指标:
1. 极限真空度6.7×10-5Pa; 分子泵满速1小时后真空度达到4×10-4Pa;
2. 超高真空磁控靶:有效尺寸3英寸,数量:3支,永磁靶(自带侧开挡板和CF100安装法兰),水冷;
3. 靶基距120-200mm可调,用光轴加直线轴承导向,可手动连续调节,有刻度指示;三靶共溅射,靶可摆角度,角度为0~45℃;
4. 样品加热:采用碘钨灯加热方式对样品进行加热,样品最高可加热250℃;
5. 磁控溅射样品有效尺寸:Φ60mm,一次只镀1片;镀膜时样品架实现自转,自转转速为0~50转/分;样品加负偏压0-200V可调;
6. 气体控制:气体流量通过两路质量流量控制器控制,流量范围为:0~50 sccm;
7. 系统带有计算机控制功能,主要实现样品的加热控制;样品的旋转控制;磁控靶档板的控制;真空度的采集。

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