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双靶磁控溅射镀膜系统

文章来源:pengchengzk 更新时间:2016-06-12

双靶磁控溅射镀膜系统

设备用途:
用于纳米级单层及多层功能膜、硬质膜、金属膜、半导体膜、介质膜等新型薄膜材料的制备。可广泛应用于大专院校、科研院所的薄膜材料的科研与小批量制备。同时设备具有反溅射清洗功能,以提高膜的质量和牢固度。
设备组成
系统主要由溅射真空室、永磁磁控溅射靶(2个靶)、单基片加热台、直流电源、射频电源、工作气路、抽气系统、真空测量、电控系统及安装机台等部分组成。
技术指标:
1、采用单室立式前开门立式结构,换样进样操作方便,不锈钢材料和真空材料。
2、极限真空度:溅射室极限真空度≤5×10-5Pa; 压升率:停泵关机12小时后真空度≤10Pa; 系统漏率:5×10-7PaL/S; 真空机组采用国产分子泵+国产机械泵抽气系统。
3、磁控靶及电源:4英寸磁控靶(HV)2个,其中一个为标准磁场磁控靶,一个为强磁场磁控靶。磁控靶即可直流也可射频,采用进口Kurt.J.Lesker公司磁控靶;电源:RF一台,功率1000w,13.56MHz,自动匹配;DC一台,功率1000w;采用进口AE公司生产的电源;当直溅射镀镀制多层膜时,靶与样品之间的距离为40mm-120mm; 如果阳极层离子源与其中一个磁控靶一起工作时,磁控靶与样品的距离为80mm~120mm。
4、样品台:最多一次可镀膜三基片,样品能旋转,也可公转换位,样品可耐压1000V,同时样品可加热;样品台最高的加温 温度为450℃,程序控温;升温速率、恒温时间可控;样品可以实现自转,转速为:5~30转/分
5、膜厚要求:Cu、Al膜的厚度为4~5微米,Ni、聚四氟乙烯膜的厚度在1~2微米时,在2英寸范围内,膜的厚度均匀性在5%以内。
6、附着力要求:薄膜与玻璃片、硅片或者陶瓷基底的附着力能够承受3次胶带拉伸试验,薄膜没有被破坏。
7、样品具有反溅射功能,可对样品进行镀前预清洗。
8、设备配有阳极层离子源,可对样品进行清洗,同时,可在镀膜时,对样品进行辅助沉积。
9、工艺气体:工作气路2路:独立质量流量控制器2路,用于反应气体进气和氩气气路,采用MKS质量流量计;具有混气功能;腔内气压可测可调可控。
10、溅射室烘烤照明:采用红外加热除气方式,烘烤温度:150℃。
11、真空室内有衬板,避免溅射材料直接溅射到溅射室真空壁上。(在后面表格体现)
12、设备具有断水断电连锁保护功能,有防止误操作保护功能。系统采用手动控制膜制备过程可控制靶挡板、样品转动、样品控温等。

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