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PECVD

文章来源:pengchengzk 更新时间:2017-06-20

PECVD

该系统为单室薄膜太阳电池等离子增强化学气相沉积(PECVD)工艺研发设备,用来在硅片上沉积SiOx、SiNx、非晶硅、多晶硅、碳材料等薄膜,镀膜样品为156×156mm基片(并向下兼容)。
设备概述:
1.系统采用单室方箱式结构,手动前开门;
2.真空室组件及配备零部件全部采用优质不锈钢材料制造(304),氩弧焊接,
表面采用喷玻璃丸+电化学抛光钝化处理配有可视观察窗口,并带挡板,
真空尺寸为350mm×350×280mm;
3.极限真空度:≤6.67x10-4 Pa (经烘烤除气后,采用分子泵抽气,分子泵不配,预留分子泵接口);
系统真空检漏漏率:≤5.0x10-7Pa.l/S; 系统从大气开始抽气到5.0x10-3 Pa,35分钟可达到
(采用分子泵抽气,分子泵不配,预留分子泵接口); 停泵关机12小时后真空度:≤5 Pa(采用分子
泵抽气,分子泵不配,预留分子泵接口);
4.采用样品在下,喷淋头在上喷淋式进气方式;
5.样品加热最高加热温度:300℃,温控精度:±1°C,采用日本进口控温表进行控温;
6.喷淋头尺寸:200×200mm,喷淋头与样品之间电极间距20-80mm连续可调,并带有标尺指数显示;
7. 沉积工作真空:13-1300Pa;
8.气路设有匀气系统,真空室内设有保证抽气均匀性抽气装置;
9.射频电源:频率 13.56MHz,最大功率500W,全自动匹配;
10.SiH4、NH3、CO2、N2、H2、PH3、B2H6、七路气体,共计使用7个质量流量控制器控制进气。
11. 系统设有硅烷尾气处理系统(高温裂解方式)。

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