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双室磁控溅射系统

文章来源:pengchengzk 更新时间:2016-06-12

双室磁控溅射系统

设备用途:
用于纳米级单层及多层功能膜、硬质膜、金属膜、半导体膜、介质膜等新型薄膜材料的制备。可广泛应用于大专院校、科研院所的薄膜材料的科研与小批量制备。配有阳极层离子源进行清洗和辅助沉积,同时设备具有反溅射清洗功能,以提高膜的质量和牢固度。
设备组成
系统主要由溅射真空室、永磁磁控溅射靶(三个靶)、单基片加热台、直流电源、射频电源、工作气路、抽气系统、真空测量、电控系统及安装机台等部分组成。
技术指标:
1、采用单室立式前开门立式结构,换样进样操作方便,不锈钢材料和真空材料。
2、极限真空度:溅射室极限真空度≤5×10-5Pa; 抽速:当一次试验完成后,在真空状态下,关闭分子泵上方的闸板阀(此时分子泵正常工作),对真空室冲入干燥氮气至一个大气压后(前开门处于关闭状态)停止充气,采用旁抽阀门和管路对真空室抽真空,当达到10Pa或者更高时,打开分子泵上方的闸板阀,关闭旁抽阀,100min后,工作真空度可达到:5×10-4Pa; 压升率:停泵关机12小时后真空度≤10Pa; 系统漏率:5×10-7PaL/S; 真空机组采用国产分子泵+国产机械泵抽气系统。
3、磁控靶及电源:3英寸磁控靶(HV)3个,其中两个为标准磁场磁控靶,一个为强磁场磁控靶。磁控靶即可直流也可射频;RF电源一台,功率600w,13.56MHz,自动匹配;DC两台,功率1000w;当直溅射镀镀制多层膜时,靶与样品之间的距离为40mm~120mm
4、样品台:样品台最高的加温温度为450℃,程序控温;升温速率、恒温时间可控;
5、膜厚要求:Cu、Al膜的厚度为4~5微米,Ni、聚四氟乙烯膜的厚度在1~2微米时,在2英寸范围内,膜的厚度均匀性在5%以内。
6、附着力要求:薄膜与玻璃片、硅片或者陶瓷基底的附着力能够承受3次胶带拉伸试验,薄膜没有被破坏。
7、样品具有反溅射功能,可对样品进行镀前预清洗。
8、设备配有阳极层离子源,可对样品进行清洗,同时,可在镀膜时,对样品进行辅助沉积。
9、工艺气体:工作气路2路:独立质量流量控制器2路,用于反应气体进气和氩气气路,采用MKS质量流量计;具有混气功能;腔内气压可测可调可控。
10、溅射室烘烤照明:采用红外加热除气方式,烘烤温度:150℃。
11、真空室内有衬板,避免溅射材料直接溅射到溅射室真空壁上。(在后面表格体现)
12、设备具有断水断电连锁保护功能,有防止误操作保护功能。
13、系统采用计算机控制膜制备过程,整个镀膜过程可在电脑界面上操作,程序控制切换靶材;镀膜过程由计算机软件系统控制完成,包括计算机硬件、软件等,可控制靶挡板、样品转动、样品控温等。

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