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ZF450多源蒸发

文章来源:pengchengzk 更新时间:2018-01-22

ZF450多源蒸发

主要用途:
用于纳米级单层及多层功能膜、硬质膜、金属膜、 半导体膜、介质膜等新型薄膜材料的制备。广泛应用 于大专院校、科研院所的薄膜材料科研与小批量制备。
系统组成:
主要由真空室系统蒸发室、蒸发源系统、样品台系统、 真空抽气及测量系统、气路系统、控制系统、膜厚测试 系统、上盖液压开启机构、电控系统组成。
技术指标:
极限真空度5×10-5Pa,系统漏率:1×10-7PaL/S; 恢复真空时间:40分钟可达6.6×10 Pa(短时间暴露 大气并充干燥氮气后开始抽气)
真空室:圆形真空室,尺寸300× 350mm
样品台:尺寸为3英寸×3英寸,厚度3.2mm的平面样品;
金属电极:数量:1支,标准型钎焊间接水冷结构;直径Φ20㎜,内水冷。向上蒸发成膜;
有机束源炉:数量:3支,标准型600度控温,向上蒸发成膜;
样品架:在基片转盘上有1个基片位置放置样品托(样品托可以分别放置2英寸)孔安装加热炉。为了在2英寸基片台范围内提高膜厚均匀性,基片在镀膜位置实现自转。基片的温度从室温至600℃(硅片上表面的温度,只需标定一次即可)
4套挡板系统:基片挡板与源挡板;靶挡板共有3套,动密封手动控制; 样品挡板(1套),磁力拨叉,
手动控制 气路系统:质量流量控制器1路 石英晶振膜厚控制仪:膜厚测量范围0-999999Å 可选分子泵组或者低温泵组合涡旋干泵抽气系统

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