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7工位

文章来源:pengchengzk 更新时间:2016-06-12

7工位

  CK450磁控溅射沉积系统
  主要用途:
  用于纳米级单层及多层功能膜、硬质膜、金属膜、半导体膜、介质膜等新型薄膜材料的制备。广泛应用于大专院校、科研院所的薄膜材料科研与小批量制备。
  系统组成:
  主要由真空室系统溅射室、靶及电源系统、样品台系统、真空抽气及测量系统、气路系统、控制系统、膜厚测试系统、上盖升降机构、电控系统、计算机控制系统及辅助系统等组成。
  技术指标:
  极限真空度6.7×10-5Pa,系统漏率:1×10-7PaL/S;
  恢复真空时间:40分钟可达6.6×10 Pa(短时间暴露
  大气并充干燥氮气后开始抽气)
  真空室:圆形真空室,尺寸450× 350mm
  样品台:尺寸为3英寸×3英寸,厚度3.2mm的平面样品;
  磁控靶:有效溅射区为3英寸×3英寸,数量:2支,标准型永磁靶,1支,标准型强磁靶,钎焊间接水冷结构;靶直径Φ50㎜,靶内水冷。靶基距为50~90mm连续可调(手动),并有调位距离指示
  镀膜方式:磁控靶为直靶,向上溅射成膜;
  样品基片: 负偏压 -200V
  样品转盘:在基片转盘上有7个基片位置放置样品托(样品托可以分别放置2英寸),其中四个工位开孔安装加热炉。为了在2英寸基片台范围内提高膜厚均匀性,基片除了公转外,在镀膜位置实现自转。基片的温度从室温至600℃(硅片上表面的温度,只需标定一次即可)连续可调可控,四个加热器可同时工作,每只有一台加热控温电源,在真空下可轮流任意互换工作。样品转盘由伺服电机驱动,计算机控制其公转到位及样品自转;
  两套挡板系统:基片挡板与靶挡板;靶挡板共有三套,动密封,散齿轮传动,手动控制;样品挡板(1套),磁力拨叉,手动控制气路系统:质量流量控制器2路
  石英晶振膜厚控制仪:膜厚测量范围0-999999Å
  可选分子泵组或者低温泵组合涡旋干泵抽气系统,计算机控制系统的功能:对位移和样品公转速度随时间的变化做实时采集,对位移误差进行计算,以曲线和数值显示。样品公转速度对位移曲线可在线性和对数标度两种显示之间切换,可实现换位定点镀膜。
控制系统采用工控机,自动控制镀膜。

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