300型磁控蒸发一体机

文章来源：pengchengzk 更新时间：2016-06-12

主要用途：
用于纳米级单层及多层功能膜、硬质膜、金属膜、 半导体膜、介质膜等新型薄膜材料的制备。广泛应用 于大专院校、科研院所的薄膜材料科研与小批量制备。
系统组成: 主要由真空室系统溅射室、靶及蒸发源系统、样品台系统、 真空抽气及测量系统、气路系统、控制系统、膜厚测试 系统、上盖液压开启机构、电控系统组成。
技术指标：
极限真空度6.7×10-5Pa，系统漏率：1×10-7PaL/S； 恢复真空时间：40分钟可达6.6×10 Pa（短时间暴露 大气并充干燥氮气后开始抽气）
真空室：圆形真空室，尺寸300× 350mm 样品台：尺寸为3英寸×3英寸，厚度3.2mm的平面样品；
磁控靶：有效溅射区为3英寸×3英寸，数量：2支，标准型永磁靶，1支，标准型强磁靶，钎焊间接水冷结构；靶直径Φ50㎜，靶内水冷。靶基距为50～90mm连续可调（手动），并有调位距离指示 镀膜方式：磁控靶为直靶，向上溅射成膜；
样品基片: 负偏压 -200V 样品转盘：在基片转盘上有1个基片位置放置样品托（样品托可以分别放置2英寸）孔安装加热炉。为了在2英寸基片台范围内提高膜厚均匀性，基片在镀膜位置实现自转。基片的温度从室温至600℃（硅片上表面的温度，只需标定一次即可）
两套挡板系统：基片挡板与靶挡板；靶挡板共有3套，动密封，散齿轮传动，手动控制；
样品挡板（１套），磁力拨叉，手动控制
气路系统:质量流量控制器1路
蒸发源:两只配备水冷电极，可蒸发高熔点金属
石英晶振膜厚控制仪：膜厚测量范围0-999999Å
可选分子泵组或者低温泵组合涡旋干泵抽气系统 计算机控制系统的功能：对位移和样品公转速度随时间的变化做实时采集，对位移误差进行计算，以曲线和数值显示。样品公转速度对位移曲线可在线性和对数标度两种显示之间切换，可实现换位定点镀膜。